退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响

• 作者: 丁栋舟 任国浩 冯鹤 张卫东 李焕英 潘尚可 陆晟 陈晓峰
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LPS:Ce晶体 退火制度 发光效率 吸收谱 发射光谱
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1054-1058
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 3821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.01054

摘要

Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.