隧道磁电阻效应的原理及应用

• 作者: 吉吾尔·吉里力 拜山·沙德克
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: 隧道磁电阻效应 磁隧道结 MGO AL2O3
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 338-340
• 页数: 3页
• 分类号: TB383

摘要

隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点，在磁随机存取存储器（MRAM）、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎，有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理，阐述了最近几年国内外最新研究进展，最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	拜山·沙德克	新疆大学物理科学与技术学院	23	59	4.0	7.0
2	吉吾尔·吉里力	新疆大学物理科学与技术学院	4	28	1.0	4.0