磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能

• 作者: 吴孙桃 宋杰 张梁堂 徐富春 董全峰 蔡敏真
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铜钒氧化物薄膜 磁控溅射 阴极材料 电化学性能
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 971-975
• 页数: 5页
• 分类号: O646
• 字数: 3283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2009.05.026

摘要

采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜.X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明,无掺杂的薄膜为多晶V2O5,掺杂Cu的薄膜为非晶态.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜,其中Cu离子表现为+2价,V离子为+4与+5价的混合价态.随着Cu掺杂量的增大,+4价V的含量增加.电化学测试结果表明,V2O5[KG-*1/4]薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高,其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1,表现出较高的放电容量和较好的循环性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董全峰	厦门大学物理与机电工程学院化学化工学院化学系	31	194	9.0	13.0
2	吴孙桃	厦门大学物理与机电工程学院萨本栋微机电研究中心	31	484	11.0	21.0
3	徐富春	厦门大学物理与机电工程学院化学化工学院分析测试中心	11	91	6.0	9.0
4	蔡敏真	厦门大学物理与机电工程学院物理与机电工程学院物理系	2	3	1.0	1.0
5	张梁堂	厦门大学物理与机电工程学院机电工程系	1	2	1.0	1.0
6	宋杰	厦门大学物理与机电工程学院化学化工学院化学系	3	28	2.0	3.0