N掺杂p-型ZnSe电子结构的第一性原理计算

• 作者: 李宗宝 王霞
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 第一性原理 N掺杂ZnSe
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1038-1042
• 页数: 5页
• 分类号: O482
• 字数: 2209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.04.034

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法(FPLAPW),对N掺杂ZnSe晶体的几何结构进行了优化,从理论上给出了N掺杂ZnSe晶体结构参数并对中心Zn原子近邻和次近邻位N掺杂前后总态密度及分态密度进行了对比分析,讨论了不同Se位N掺杂对ZnSe晶体性能的影响,在次近邻掺杂中,晶体表现出更为优良的半导体性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王霞	铜仁学院生化系	41	117	5.0	9.0
2	李宗宝	铜仁学院物理系	29	67	5.0	6.0