3 T强磁场对真空蒸发Zn薄膜晶体结构的影响

• 作者: 任忠鸣 任树洋 任维丽 操光辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强磁场 晶体结构 真空蒸发沉积 薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5567-5571
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.067

摘要

在3 T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3 μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究.研究表明,3 T磁场下制备的Zn薄膜都是沿(002)面取向,而0 T磁场下制备的薄膜随着厚度的增加c轴取向逐渐减弱.3 T磁场的取向作用可以维持Zn晶粒沿着c轴取向.利用扫描电子显微镜对薄膜表面形貌的研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r*M和临界形核自由能ΔG*M.初步分析表明,r*M和ΔG*M减小从而增加临界形核浓度是Zn晶粒细化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	操光辉	上海大学材料科学与工程学院	10	33	3.0	5.0
2	任忠鸣	上海大学材料科学与工程学院	241	1818	22.0	29.0
3	任维丽	上海大学材料科学与工程学院	44	183	7.0	10.0
4	任树洋	上海大学材料科学与工程学院	7	21	3.0	4.0