新型SiO2基微/介孔材料的合成及其对集成电路生产中VOCs废气的吸附研究

• 作者: 孙予罕 常文明 李军平 肖福魁 赵宁 魏伟
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: IC产业 SiO2基微/介孔材料 穿透曲线 挥发性有机物(VOCs)
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 26-28,69
• 页数: 4页
• 分类号: TQ13
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2009.02.009

摘要

采用新型SiO2基微/介孔材料为吸附剂,针对集成电路(Integrated Ciruit,IC)产业中废气排放的特点,以丙酮、苯、甲苯为挥发性有机化合物(VOCs)的典型,进行了一系列吸附实验.用气相色谱定时测取VOCs获得动态穿透曲线,就各VOCs分别在SiO2基微/介孔材料、疏水沸石、活性炭3种吸附荆上的吸附以及SiO2基微/介孔材料对3种不同VOCs的吸附进行了研究,同时考察了水蒸汽脱附对该材料吸附性能的影响.实验结果显示,该吸附剂在对VOCs的吸附中较疏水沸石FX-I和活性炭有着明显的优势,主要表现在透过时间的延迟和传质区长度的缩短.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏伟	中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室	134	1781	21.0	34.0
2	赵宁	中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室	74	800	15.0	25.0
3	肖福魁	中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室	15	95	6.0	9.0
4	李军平	中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室	17	172	9.0	12.0
5	常文明	中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室	1	4	1.0	1.0