剩余应变对半导体量子点边带能影响的数值分析

• 作者: 俞重远 杨红波
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 剩余应变 边带能 有限元法
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2476-2479
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2009.11.021

摘要

从弹性力学的理论出发,导出了应变对量子点各边带能级影响改变量的表达式,以有限元法计算了量子点的应变;结合应变能改变量表达式给出了应变作用下各边带能改变量的变化曲线,指出应变使量子点导带级平行移动,且移动的数值只与材料的性质有关;应变作用下重空穴带和轻空穴带发生分裂,分裂的大小与材料的性质和量子点的形状都有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞重远	北京邮电大学理学院	49	260	10.0	12.0