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摘要:
This paper compares the properties of silicon oxide and nitride as host matrices for Er ions. Erbium-doped silicon nitride films were deposited by a plasma-enhanced chemical-vapour deposition system. After deposition, the films were implanted with Er3+ at different doses. Er-doped thermal grown silicon oxide films were prepared at the same time as references. Photoluminescence features of Er3+ were inspected systematically. It is found that silicon nitride films are suitable for high concentration doping and the thermal quenching effect is not severe. However, a very high annealing temperature up to 1200 ℃ is needed to optically activate Er3+, which may be the main obstacle to impede the application of Er-doped silicon nitride.
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篇名 A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 Er doping silicon nitride photoluminescence
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 3044-3048
页数 5页 分类号
字数 语种 英文
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Er doping
silicon nitride
photoluminescence
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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