原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
分析了现有指数时间采样重置电路的结构和写SRAM的工作时序,设计了一种新型的单稳态脉冲生成电路,加入到像素电路中形成新的SRAM写模式.采用此方法使得单个像素的平均写SRAM次数由2-1/2N次降为1次,消除了大动态范围CMOS图像传感器中SRAM的无效写操作.在CSM 0.35μm 2P4M 3.3V的工艺条件下,利用Cadence Spectre和Hspice工具分别对单稳态脉冲电路和改进后的像素电路进行了仿真实验,证明了此方法的有效性.
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关键词热度
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文献信息
篇名 大动态范围CMOS图像传感器指数时间采样电路的改进
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 CMOS图像传感器 指数时间采样重置 单稳态脉冲 SRAM写模式
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 105-108
页数 4页 分类号 TN402
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 卢结成 中国科学技术大学电子科学与技术系 28 146 6.0 10.0
2 鄢铭 中国科学技术大学电子科学与技术系 5 16 3.0 4.0
3 卞育华 中国科学技术大学电子科学与技术系 4 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS图像传感器
指数时间采样重置
单稳态脉冲
SRAM写模式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
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