篇名 | High-electric-field-stress-induced degradation of SiN passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | AlGaN/GaN high electron mobility transistors surface states traps in A1GaN passivation | ||
年,卷(期) | 2009,(4) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 1601-1608 | |
页数 | 8页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI |