一种考虑温度的分布式互连线功耗模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 郝报田 钟波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 互连线 温度梯度 动态功耗模型 纳米级互补金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7124-7129
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.075

摘要

基于集总式电阻-电容树形功耗模型,考虑了非均匀温度分布对互连线电阻的影响,提出了一种新的分布式互连线动态功耗解析模型,解决了集总式模型不能表征非均匀温度变化带来的电阻变化的问题,并计算了一次非理想的激励冲激下整个互连模型消耗的总能量.基于所提出的分布式互连线功耗模型,计算了纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺典型长度互连线的Elmore延时和功耗,发现非均匀温度分布对互连功耗的影响随着互连线长度的增加而增加,单位长度功耗随着CMOS工艺特征尺寸的变化而基本不变.文中所提出的功耗模型可以用来精确估算互连线动态功耗,适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	钟波	西安电子科技大学微电子研究所	3	21	3.0	3.0
4	郝报田	西安电子科技大学微电子研究所	3	19	2.0	3.0