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摘要:
This article deals with the strain distributions around GaN/AlN quantum dots by using the finite element method. Special attention is paid to the influence of Alo.2Gan.aN strain-reducing layer on strain distribution and electronic structure. The numerical results show that the horizontal and the vertical strain components are reinforced in the CaN quantum dot due to the presence of the strain-reducing layer, but the hydrostatic strain in the quantum dot is not influenced. According to the deformation potential theory, we study the band edge modifications and the piezoelectric effects. The result demonstrates that with the increase of the strain reducing layer, the transition energy between the ground state electron and the heavy hole increases. This result is consistent with the emission wavelength blue shift phenomenon observed in the experiment and confirms that the wavelength shifts toward the short wavelength range is realizable by adjusting the structure-dependent parameters of GaN/AlN quantum dot.
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篇名 The influence of strain-reducing layer on strain distribution and ground state energy levels of GaN/AlN quantum dot
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 quantum dot strain distribution electronic structure
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4136-4142
页数 7页 分类号
字数 语种 英文
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quantum dot
strain distribution
electronic structure
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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