超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究

• 作者: Kaz Hirakawa 何波涌 庄松林 张大伟 朱亦鸣 贾晓轩 陈麟 黄元申
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 太赫兹 非平衡载流子 功耗谱 谷间散射
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2692-2696
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.088

摘要

利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50 kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50 kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750 GHz(10 K)附近饱和.