太赫兹场作用下的GaAs双量子阱的光吸收分析

• 作者: 彭金璋 石长柏
• 来源期刊: 吉首大学学报：自然科学版
• 学科: 物理学
• 关键词: 光吸收谱 量子阱 太赫兹
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 物理与电子
• 页码范围: 44-47
• 分类号: O471.3|O472.3
• 字数: 2292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2985.2011.03.012

摘要

用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明：在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带,这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭金璋	吉首大学物理科学与信息工程学院	22	61	5.0	7.0
2	石长柏	吉首大学物理科学与信息工程学院	3	3	1.0	1.0