聚二甲基硅氧烷表面波浪形微纳米沟槽的制备

• 作者: 白秀娥 董祥波 边捷
• 来源期刊: 合成技术及应用
• 学科: 工学
• 关键词: 聚二甲基硅氧烷 等离子体氧化 微纳米沟槽
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 4-6
• 分类号: TB383
• 字数: 1589字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-334X.2010.01.002

摘要

采用空气等离子体氧化及单向应力释放法制备出近似平行排列的聚二甲基硅氧烷波浪形微纳米沟槽阵列,并阐述了经等离子体氧化的聚二甲基硅氧烷在单向应力释放中波浪形微纳米沟槽的形成机理及相应的影响因素.结果表明,波浪形沟槽的间距均随着等离子体氧化时间的延长而增大,较低速率的应力释放有利于沟槽的规整有序.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白秀娥	苏州大学纺织与服装工程学院	22	128	7.0	10.0
2	董祥波	苏州大学材料与化学化工学部	2	15	1.0	2.0
3	边捷	苏州大学材料与化学化工学部	2	15	1.0	2.0