Si掺杂对提高TiN薄膜力学性能的影响

• 作者: 冯克成 尹龙承 彭鸿雁 蔡继兴 郑友进
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 真空阴极弧 硅烷 TiN薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 93-95,43
• 分类号: TB303|TQ050.6
• 字数: 1902字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2010.03.026

摘要

采用真空阴极弧沉积技术,以硅烷作为Si源,实现了对TiN薄膜的Si掺杂.X射线衍射图谱没有发现SiN的衍射峰,我们推测Si元素是以非晶相形式存在.X射线光电子能谱证实Si元素是以非晶相SiN形式存在.通过扫描电镜对薄膜断面形貌进行观察,发现掺Si后薄膜的柱状晶逐步得到细化、致密度提高.薄膜的硬度随着Si含量的增加逐渐增加,然后降低,其最大值达到35GPa左右.摩擦系数降为TiN薄膜的一半,掺Si后薄膜的力学性能有了显著的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭鸿雁	牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室	29	94	6.0	8.0
2	尹龙承	牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室	18	25	2.0	3.0
3	冯克成	长春理工大学理学院	38	205	8.0	12.0
4	郑友进	牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室	54	81	4.0	7.0
5	蔡继兴	长春理工大学理学院	9	16	2.0	3.0