硅掺杂MgB2超导薄膜的制备及研究

• 作者: 冯庆荣 张从尧 王银博
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: MgB2超导薄膜 硅掺杂 混合物理化学气相沉积法(HPCVD)
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度Tc没有大幅下降,超导临界电流Jc得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×105Acm-2.同时上临界场Hc2在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率-dH/dT也有一定的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯庆荣		28	65	5.0	6.0
2	王银博		4	4	1.0	2.0
3	张从尧		2	0	0.0	0.0