高性能SiC整流二极管研究

• 作者: 付兴昌 何庆国 冯志红 刘波 商庆杰 李亚丽 李佳 杨克武 杨霏 潘宏菽 蔡树军 闫锐 默江辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 击穿电压 合并p-i-n肖特基 肖特基接触 欧姆接触 场板
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 394-396,408
• 分类号: TN313.5|TN304.24
• 字数: 1792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.002

摘要

在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管.通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性P型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射TiW/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应.该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压.反向击穿电压可以达到1300 V,开启电压约为0.7 V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93 eV,正向电压3.0 V时,电流密度可以达到700 A/cm2.