In2O3准一维纳米结构的可控制备研究

• 作者: 吴萍 孙凯 池凌飞 赵传熙
• 来源期刊: 汕头大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟 纳米线 可控制备 生长机理
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 32-38
• 分类号: TN304
• 字数: 3906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4217.2010.03.006

摘要

以In2O3和活性炭混合物为蒸发源,利用化学气相沉积法在硅衬底上制备了In2O3纳米线.对In2O3纳米线的生长机理进行讨论,认为在衬底表面维持一定的氧化铟基团浓度是导致出现In2O3纳米线的原因,因此可以通过调节氧化铟基团的浓度去控制准一维In2O3纳米结构的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴萍	汕头大学物理系	16	73	5.0	8.0
2	池凌飞	汕头大学物理系	14	153	6.0	12.0
3	孙凯	汕头大学物理系	1	0	0.0	0.0
4	赵传熙	汕头大学物理系	2	20	1.0	2.0