900 nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究

• 作者: 安志民 林琳 王晶 车相辉 陈宏泰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 δ掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 397-400
• 分类号: TN365
• 字数: 1838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.003

摘要

采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900 nm的三叠层隧道级联激光器.针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化.通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1 V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°.将900 nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20 A的脉冲工作电流下,输出功率达到55 W,斜率效率达到2.9 W/A,以上指标是普通激光器的3倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	58	6.0	7.0
2	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
3	王晶	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	24	3.0	4.0
4	车相辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	26	4.0	4.0
5	安志民	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	6	1.0	1.0