利用 Hopkinson 杆对弹载存储测试电路模块常用的两种晶振:EXO3,KSS 晶振,在未用环氧树脂胶灌封和灌封状态下进行了不同冲击方向(沿平行和垂直方向)的抗高 g 值冲击性能研究,并对它们的失效机理进行了分析.结果表明:因为晶振内部有微梁,当晶振在高 g 值加速度冲击下时,微梁可能发生断裂,这将导致晶振的失效.另外,晶振抗冲击能力与冲击加速度方向有关,与冲击方向平行时晶振的抗冲击性能要明显高于与冲击方向垂直的情况;对同一个冲击方向而言,经过环氧树脂灌封的晶振抗冲击能力并没有明显高于未灌封的晶振,这可能是由于电路板上焊点、导线断开造成的.