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摘要:
采用直流反应磁控溅射法,在Si(100)基片表面沉积厚度为1000 nm的二氧化钒膜.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电镜(SEM)分析膜的晶相和形貌,观察到二氧化钒膜的一种新的生长模式.X射线衍射分析表明生成的膜为典型的多晶二氧化钒膜,其(200)晶面衍射峰较强.扫描电镜(SEM)分析表明,随着膜厚的增加,膜表面晶粒增大,膜表面的晶粒呈现出独特的"纺锤"状或"棒"状;膜具有明显的 "柱"状生长特征,在膜厚380 nm以上时,"柱状"晶生长速率快速提高.样品的阻温特性分析表明,生成的二氧化钒膜具有典型的金属-半导体相变特征.
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文献信息
篇名 一种二氧化钒膜的新的生长模式
来源期刊 稀有金属材料与工程 学科 化学
关键词 二氧化钒膜 膜厚 直流磁控溅射
年,卷(期) 2010,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 289-292
页数 分类号 O614.51+1|TN213
字数 2836字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴志明 78 544 13.0 17.0
2 蒋亚东 318 2024 18.0 25.0
3 田忠 37 160 7.0 11.0
4 贾宇明 14 70 3.0 8.0
5 廖家轩 22 106 7.0 8.0
6 魏雄邦 18 94 6.0 8.0
传播情况
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节点文献
二氧化钒膜
膜厚
直流磁控溅射
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
稀有金属材料与工程
月刊
1002-185X
61-1154/TG
大16开
西安市51号信箱
52-172
1970
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
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