减少GaAs发光二极管键合陷坑的方法

• 作者: 侯育增 张静
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 热超声键合 LED
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 12-15
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.004

摘要

砷化镓(GaAs)发光二极管LED芯片既可作为发光器件,也可作为光电显示器件,并以其低能耗高亮度的优势被广泛应用,然而由于GaAs材料在机械性能上的不足,使其很容易在组装过程中产生键合陷坑,并对大批量生产造成影响.文章通过对比分析GaAs与Si的机械特性以及GaAs发光二极管的键合特殊性,较为系统地阐述了GaAs发光二极管产生键合陷坑的原因,并针对超声能量、键合压力、载片台温度等键合参数对GaAs发光二极管产生键合陷坑的影响,进行了充分的单项试验,根据试验结果制定了减少GaAs发光二极管键合陷坑的键合方法,极大提高了GaAs发光二极管的键合可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯育增		1	1	1.0	1.0
2	张静		1	1	1.0	1.0