三聚氰胺修饰电极同位镀铋膜测定镉离子

• 作者: 任旺 张英
• 来源期刊: 化学传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 同位镀铋膜 镉离子 修饰电极 三聚氰胺
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 58-61
• 分类号: TP2
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-2298.2010.04.011

摘要

采用电聚合方法制备三聚氰胺修饰玻碳电极(PM/GC),然后在其表面同位镀铋膜,研究Cd2+在该电极上的溶出伏安行为,并与裸玻碳电极(GC)同位镀铋膜电极上Cd2+的溶出伏安行为进行比较.研究表明,镉在同位镀铋膜的PM/GC电极上可得到灵敏的溶出峰.在优化的实验条件下,镉的氧化峰电流与其在1.0×10～1.O×10-6mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-8mol/L.由于每次溶出后可方便地将铋膜溶解更新,该方法重现性好.使用铋膜电极替代汞膜电极还有利于保护环境.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张英	四川理工学院化学与制药工程学院	27	75	5.0	8.0
2	任旺	四川理工学院化学与制药工程学院	19	33	3.0	4.0