先进相移掩模(PSM)工艺技术

• 作者: 周家万 尤春 彭力 陈友篷
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 相移掩模 电子束曝光 相位角分析 缺陷检测
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 41-45
• 分类号: TN306
• 字数: 4588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.09.011

摘要

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18 μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形.通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率.相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭力		6	14	2.0	3.0
2	陈友篷		1	5	1.0	1.0
3	尤春		1	5	1.0	1.0
4	周家万		1	5	1.0	1.0