Sb2Se3单晶纳米带的水热制备、表征及性能

• 作者: 张万喜 梁继才 陈广义 魏志勇
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 水热法 硒化锑 纳米带 生长机制 性能
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TB383
• 字数: 2685字
• 语种: 中文

摘要

采用水热法制备大量高长径比的Sb2Se3纳米带.十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为形貌控制剂在纳米带的形成过程中起了至关重要的作用,借助X 射线粉末衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等对所得产物进行系统表征.结果表明,所制备出的Sb2Se3纳米带是沿[001]晶面方向生长的,带的宽度在1 μm以内,厚度有100 nm左右,长度可达几十个微米.对Sb2Se3纳米带的生长机制和光学性质进行了初步的讨论和研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏志勇	大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室	30	159	8.0	10.0
2	张万喜	大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室	16	66	5.0	7.0
3	陈广义	大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室	8	35	4.0	5.0
4	梁继才	大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室	8	110	5.0	8.0