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修饰Langmuir-Blodget膜法制备聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)薄膜结构和导电性能的研究
修饰Langmuir-Blodget膜法制备聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)薄膜结构和导电性能的研究
作者:
徐建华
杨亚杰
蒋亚东
郑华靖
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PEDOT
LB膜法
光电性能
测量
摘要:
采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-亚乙基二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了二十烷酸/聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(AA/PEDOT)复合LB膜.UV-Vis、FTIR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;X射线衍射(XRD)和二次离子质谱(SIMS)分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"逾渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变.测试结果还表明AA层和PEDOT层之间具有较为明显的界面,PEDOT显示出较好的定域性,薄膜具有很好的层状有序结构.
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内容分析
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期刊文献
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文献信息
篇名
修饰Langmuir-Blodget膜法制备聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)薄膜结构和导电性能的研究
来源期刊
高分子学报
学科
化学
关键词
PEDOT
LB膜法
光电性能
测量
年,卷(期)
2010,(8)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1043-1049
页数
分类号
O6
字数
语种
中文
DOI
10.3724/SP.J.1105.2010.09470
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋亚东
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
318
2024
18.0
25.0
2
徐建华
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
51
334
10.0
15.0
3
郑华靖
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
14
35
3.0
4.0
4
杨亚杰
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
26
142
7.0
10.0
传播情况
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引文网络
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引证文献
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同被引文献
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二级引证文献
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参考文献(1)
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1995(3)
参考文献(0)
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1996(2)
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二级参考文献(2)
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参考文献(1)
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二级引证文献(1)
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引证文献(0)
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2018(1)
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节点文献
PEDOT
LB膜法
光电性能
测量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高分子学报
主办单位:
中国科学院化学研究所
中国化学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-3304
CN:
11-1857/O6
开本:
大16开
出版地:
北京中关村北一街2号(北京2709信箱)
邮发代号:
2-498
创刊时间:
1957
语种:
chi
出版文献量(篇)
4355
总下载数(次)
15
总被引数(次)
47675
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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