毫米波单片低噪声放大器的研制

• 作者: 严蘋蘋 洪伟 陈继新
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 砷化镓 毫米波 噪声系数
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 449-453
• 分类号: TN72
• 字数: 2709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2010.03.003

摘要

采用OMMIC 0.18 μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5 mm×1.0 mm.测试结果表明,在28～40 GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2 dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8 dB、噪声系数最小为2.73 dB,达到预期目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪伟	东南大学毫米波国家重点实验室	186	1727	20.0	32.0
2	陈继新	东南大学毫米波国家重点实验室	21	238	8.0	15.0
3	严蘋蘋	东南大学毫米波国家重点实验室	7	57	6.0	7.0