硅纳米孔柱阵列上低温无催化剂生长碳纳米管

• 作者: 姜卫粉 杨保河
• 来源期刊: 信阳师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 碳纳米管 硅纳米孔柱阵列 化学气相沉积 合成
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 558-561
• 分类号: O613.71
• 字数: 2051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0972.2010.04.021

摘要

采用化学气相沉积的方法在硅纳米孔柱阵列衬底上无催化剂生长出碳纳米管.分别在新制备的和制备后再在常温下自然氧化一周的硅纳米孔柱阵列衬底上进行无催化剂生长碳纳米管,结果发现新制备的硅纳米孔柱阵列表面没有碳纳米管长出,而自然氧化一周的硅纳米孔柱阵列表面有大量的碳纳米管出现.从硅纳米孔柱阵列的结构及表面氧化程度的不同加以分析,提出了无催化剂生长碳纳米管的生长机理,为在无金属催化剂条件下生长碳纳米管提供了一种新的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨保河	郑州师范学院物理系	13	8	1.0	2.0
2	姜卫粉	华北水利水电学院数学与信息科学学院	5	7	1.0	2.0