＞0.3 MeV高能电子注入辐射带槽区事件的分析与预报

• 作者: 谢伦 陈文磊
• 来源期刊: 地球物理学报
• 学科: 地球科学
• 关键词: 辐射带槽区 高能电子注入事件 磁暴 Dst指数
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2796-2804
• 分类号: P353
• 字数: 6096字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0001-5733.2010.12.002

摘要

本文利用低高度太阳同步轨道系列卫星NOAA/POES从1996年到2006年的＞0.3 MeV高能电子观测数据,分析了＞0.3 MeV高能电子注入辐射带槽区的特征,研究了注入槽区事件与行星际条件、太阳活动和地磁扰动之间的联系.研究表明＞0.3 MeV高能电子注入辐射带槽区事件与磁暴的发生密切相关,注入事件的发生与太阳活动的强度有一定的相关性.在此研究的基础上,本文通过分析辐射带槽区＞0.3 MeV高能电子通量和Dst指数的相关性,提出了利用Dst指数推算辐射带槽区＞0.3 MeV高能电子通量的方法,继而给出了可行的辐射带槽区高能电子辐射环境的预警模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文磊	北京大学空间科学与应用技术研究所	3	2	1.0	1.0
2	谢伦	北京大学空间科学与应用技术研究所	10	32	4.0	5.0