单相纳米永磁体剩磁的一个普适公式

• 作者: 张庆香 徐劲松 杨春 赵国平 鲜承伟
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 其他
• 关键词: 微磁学 剩磁 交换耦合相互作用 单相纳米永磁体
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 495-499
• 分类号: O048
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.04.019

摘要

利用微磁学方法,对解析模型进行适当改进,推导总结出单相纳米永磁材料剩磁的一个普适公式Mr=a+b/L,其中a=Ms/2,b=cWMs,Mr、Ms、W、L分别为剩余磁化强度、饱和磁化强度、畴壁宽度和晶粒线度,c是一无量纲常数.通过拟合实验数据得到公式中a、b值,从而得到单相纳米永磁材料剩磁、剩磁增强效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学四川省软件重点实验室	89	760	14.0	24.0
2	鲜承伟	四川师范大学物理与电子工程学院	2	14	1.0	2.0
3	赵国平	四川师范大学物理与电子工程学院	16	43	4.0	5.0
4	张庆香	四川师范大学物理与电子工程学院	2	14	1.0	2.0
5	徐劲松	四川师范大学物理与电子工程学院	3	15	1.0	3.0