新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

• 作者: 任晓敏 宋海兰 张帅 张欣 王琦 陶彦耘 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光探测器 频率响应 过剩噪声因子 AlGaAs带隙梯度结构 苯并环丁烯
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 501-506
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文

摘要

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.