不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响

• 作者: 商耀辉 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 王健
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 663-667
• 分类号: TN312.2|TN304.23
• 字数: 2237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.11.003

摘要

利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性.在峰值电流密度为132 kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比.测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	武一宾	河北工业大学信息工程学院	19	39	4.0	4.0
4	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
5	牛晨亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	6	2.0	2.0
6	王健	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	82	6.0	7.0