高效率976 nm激光器材料

• 作者: 刘会民 安振峰 张世祖 徐会武 杨红伟 林琳 王晓燕 王晶 田秀伟 车相辉 陈宏泰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 Al组分
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 29-32
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.01.007

摘要

使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响.根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976 nm激光器材料.利用该材料制作成2 mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试.测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976 nm半导体激光器的转换效率.室温下,当工作电流为500 A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63 V,使得电光转换效率达到67%.