SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究

• 作者: 曾腾 潘孟美 钟小丽
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiP 体弹性模量 电子特性 能带 第一性原理
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 377-382
• 分类号: O562.1
• 字数: 3499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.02.033

摘要

应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构间能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2 GPa, 15.0 GPa, 19.3 GPa, 20.0 GPa 和 10.3 GPa时分别转变成GeP型结构、Rhom.型结构、β-InS型结构、 CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123 eV 和 0.123 eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾腾	海南师范大学物理与电子工程学院	13	11	2.0	2.0
2	潘孟美	海南师范大学物理与电子工程学院	32	29	3.0	4.0
3	钟小丽	海南师范大学物理与电子工程学院	7	2	1.0	1.0