多热源合成SiC温度场的变化规律研究

• 作者: 王晓刚 陈杰
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 多热源合成SiC 温度场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1036-1040
• 分类号: TB383
• 字数: 3034字
• 语种: 中文

摘要

通过对多热源合成碳化硅温度场的数值模拟,研究了碳化硅冶炼过程中的温度变化规律,揭示了多热源合成SiC节能增产的机理.研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,使高温区域热能扩散和物质扩散动力更强,高温区分布更宽,炉内温场相对更均匀,导致多热源合成SiC技术具有明显的节能、降耗、提质、增产的特点,生产更安全.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程学院	139	838	15.0	23.0
2	陈杰	西安科技大学材料科学与工程学院	48	183	7.0	9.0