碳热还原合成SiC温度场演变规律研究

• 作者: 王晓刚 陈杰
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳热还原法 SiC 温度场 演变规律 数值模拟
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 2212-2216
• 页数: 5页
• 分类号: TP15
• 字数: 2788字
• 语种: 中文

摘要

通过对碳热还原合成SiC冶炼炉温度场的数值模拟及实验,揭示了冶炼炉内温度场的演变规律.研究表明,碳化硅合成过程中,热量以热源为中心呈辐射状向外传递,其合成温度(1600℃)等温面也逐渐向外扩大,表现为SiC的合成反应温区增大;SiC的大量合成发生在中后期,合成持续,SiC合成温区面积增加缓慢.合成时间过长,会导致已生成的SiC分解,容易形成实际生产中喷炉事故;适当比例的SiC分解,有利于形成高致密的碳化硅产品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程学院	139	838	15.0	23.0
2	陈杰	西安科技大学材料科学与工程学院	48	183	7.0	9.0