多热源合成碳化硅温度场及压力场变化规律研究

• 作者: 李阳 王旭阳 王晓刚 王飞 陈杰
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 多热源 碳化硅 温度场 压力场
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 3498-3503
• 页数: 6页
• 分类号: TQ173
• 字数: 2429字
• 语种: 中文

摘要

过数值模拟及工业实验的方法分别对多热源和单热源合成炉内的温度场及压力场进行分析,研究了两种合成炉内温度及压力的演变规律.结果表明由于多热源的能量叠加效应,使得适合于碳化硅合成的温度区域明显高于单热源,且分散的热源避免了能量过于集中从而减少碳化硅的分解量,同时从两种合成炉压力分布图可以看出,单热源炉内压力最高为1.525×101 kPa极易发生喷炉事故,而多热源最高压力为1.256×101 kPa,此压力相比而言能保证合成过程的平稳进行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程学院	139	838	15.0	23.0
2	陈杰	西安科技大学材料科学与工程学院	48	183	7.0	9.0
3	王飞		33	85	4.0	7.0
4	李阳		11	18	3.0	3.0
5	王旭阳	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	12	3.0	3.0