物理气相传输(PVT)法生长碳化硅的晶体形态热应力分析

• 作者: 刘光亮 史永贵 戴培赟 杨建锋
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 物理气相传输(PVT) 碳化硅单晶 热应力 有限元
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 117-121
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

利用有限元方法对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅晶体过程中出现的3种典型生长形态进行了热应力分析.结果表明:在3种晶体生长形态中,热应力最大值都出现在晶体与石墨坩埚盖接触区域;平面型生长形态中温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均比较均匀;凸面型和凹面型生长形态的温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均变化较大,而且在凸面型的中间区域和凹面型的边缘区域也存在较大的应力值.因此,为提高晶体质量,提出在石墨坩埚盖上沉积或反应生成碳化硅过渡层来减小热应力的改良方法,同时调整碳化硅晶体生长系统,尽量保证碳化硅晶体的平面型生长形态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建锋	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	48	283	10.0	14.0
2	史永贵	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	戴培赟	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	刘光亮	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	5	1.0	2.0