Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合芯片的组织结构和发光性能

• 作者: 周浪 周耐根 熊志华 罗岚
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 组合材料芯片技术 钆铝酸盐 发光 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1260-1264
• 分类号: TG14|TG113.12
• 字数: 1962字
• 语种: 中文

摘要

将组合材料芯片技术用于Gd1-xAly:Eux荧光材料的研究.通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制各Gd1-xAly:Eux梯度组合材料芯片.通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-A12O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成.紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAly:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5Do-7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相.材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周耐根		34	179	7.0	12.0
2	周浪		110	1018	16.0	26.0
3	罗岚		39	172	8.0	12.0
7	熊志华	江西科技师范学院江西省光电子与通信重点实验室	14	183	5.0	13.0