后驱动技术在故障注入中的退化机理的研究

• 作者: 曾晨晖 李瑶
• 来源期刊: 测控技术
• 学科: 工学
• 关键词: 后驱动技术 故障注入 退化机理
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 97-101
• 页数: 5页
• 分类号: TP336
• 字数: 3717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8829.2010.03.027

摘要

后驱动技术作为故障注入的有效方法,适用于数字电路在线故障注入,然而后驱动技术对器件产生的加速退化作用不容忽视.在分析后驱动技术原理的基础上,对后驱动环境下的退化机理作深入研究.以退化加速因子为主要分析指标,针对每一种退化机理(除引线键合熔化)推导出其加速因子模型,并以两种常见的双极型CMOS电路为对象进行退化加速评估,得出其主要的退化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李瑶		1	2	1.0	1.0
2	曾晨晖		2	7	2.0	2.0