光化法去除四氯化硅中三氯氢硅的实验研究

• 作者: 任剑 毛威 王铁艳 苏小平 莫杰 袁琴
• 来源期刊: 无机盐工业
• 关键词: 四氯化硅 三氯氢硅 光化反应
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 37-39
• 分类号: TQ127.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4990.2010.12.012

摘要

以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究.分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系.研究表明:光化时间随着原料量的增加而增加;光化时间随着光照强度的减少而增加;氯气与三氯氢硅物质的量比至少大于22∶ 1;氯气与三氯氢硅物质的量比存在临界值,小于此值时光化时间随氯气与三氯氢硅物质的量比的增大而减少,大于此值时光化时间反而有所增加,光照强度越大此值越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王铁艳		7	36	4.0	5.0
2	袁琴		5	23	3.0	4.0
3	苏小平		15	133	7.0	11.0
4	毛威		2	7	2.0	2.0
5	莫杰		1	4	1.0	1.0
6	任剑		1	4	1.0	1.0