The study on mechanism and model of negative bias temperature instability degradation in P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: NBTI 90nm p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(PMOS-FETs) model
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 564-569
• 页数: 6页
• 语种: 英文