脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析

• 作者: 刘丽炜 张喜和 曲璐 谭勇
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光与物质相互作用 等离子体 激光发射光谱 光谱分析
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1815-1818
• 分类号: O53
• 字数: 2091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB201002208.1815

摘要

从激光与物质相互作用理论出发,对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析.建立一套实验装置,所用激光光源的波长为1 064 nm,脉宽为10 ns,重复频率为1 Hz.得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱,在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析.提取380～460 nm波段的单晶硅等离子体光谱,分析了谱图中SiⅠ390.52 nm, SiⅡ385.51 nm,SiⅡ413.12 nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭勇	长春理工大学理学院	51	136	8.0	8.0
2	张喜和	长春理工大学理学院	88	397	10.0	13.0
3	刘丽炜	长春理工大学理学院	24	75	5.0	6.0
4	曲璐	长春理工大学理学院	1	2	1.0	1.0