长脉冲激光诱导单晶硅产生等离子体特性

• 作者: 张永祥 郭明
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 长脉冲 激光 单晶硅 等离子体 光学阴影法 电子密度 电子温度 光谱
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 信息科学与工程
• 页码范围: 423-426
• 页数: 4页
• 分类号: TJ01
• 字数: 2610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7688/j.issn.1000-1646.2020.04.12

摘要

针对毫秒脉冲激光诱导单晶硅产生等离子体演化规律,利用光学阴影成像法研究单晶硅燃烧波膨胀过程,分析不同时刻等离子体状态,采用双端口光谱仪分析等离子体光谱,计算等离子体的主要特征参数.结果表明:随着激光能量密度的增加,燃烧波膨胀距离和膨胀速度增大,径向膨胀速度小于轴向膨胀速度;等离子体主要在单晶硅表面附近加速最大;等离子体膨胀时,观察到长脉冲特有的喷溅现象;激光能量密度在337.0～659.7 J/cm2之间时,电子温度量级为104 K,等离子体电子温度、电子密度随激光能量密度增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张永祥		9	4	1.0	1.0
2	郭明		5	0	0.0	0.0