Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors

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篇名	Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	silicon carbide interface states ion-implantation barrier height
年，卷（期）	2010,（9）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	510-514
页数	5页	分类号
字数		语种	英文
DOI

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