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摘要:
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 最新MRAM存储能力提升到16Mb
来源期刊 电子设计技术 学科
关键词 MRAM 16Mb MRAM Everspin
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目 技术前沿
研究方向 页码范围 12
页数 分类号
字数 899字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1023-7364.2010.07.002
五维指标
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (8)
同被引文献  (7)
二级引证文献  (33)
2010(1)
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  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2010(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2012(4)
  • 引证文献(1)
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2013(7)
  • 引证文献(1)
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2014(12)
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  • 二级引证文献(9)
2015(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2016(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2017(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2018(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2019(5)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(5)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
MRAM
16Mb MRAM
Everspin
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计技术
月刊
1023-7364
11-3617/TN
16开
北京市
1994
chi
出版文献量(篇)
5532
总下载数(次)
6
总被引数(次)
1789
论文1v1指导