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摘要:
Based on the transverse Ising model and using decoupling approximation to the Fermi-type Green'sfunction, we study the phase transition properties of the epitaxial ferroelectric film with one substrate.A generalrecursive equation of the ferroelectric thin film with two n-layer materials is obtained, which enables us to study thephase transition properties for any number layers for epitaxial ferroelectric thin film.With the help of this equation,we analyze the effect of the exchange interaction and the transverse field in the phase diagram, the influence to thepolarizations and Curie temperature numerically.The results show that epitaxial ferroelectric film are able to inducea strong increase or decrease of Curie temperature to different exchange interactions and transverse fields within theepitaxial film layers.The theoretical results are in reasonable accordance with experimental data of different ferroelectricthin film.
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文献信息
篇名 Study of Phase Transition Properties in Epitaxial Ferroelectric Film
来源期刊 理论物理通讯(英文版) 学科 物理学
关键词 铁电薄膜 相变特性 薄膜外延 横向伊辛模型 居里温度 格林函数 递归方程 实验数据
年,卷(期) 2010,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 756-762
页数 7页 分类号 O414.2 TN304.9
字数 语种 英文
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铁电薄膜
相变特性
薄膜外延
横向伊辛模型
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理论物理通讯(英文版)
月刊
0253-6102
11-2592/O3
北京2735信箱
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