Tm~(3+)离子掺杂Ge-Ga-S-CsI硫卤玻璃近红外及中红外发光特性研究

• 作者: 张鹏君 彭波 徐铁峰 戴世勋 王训四 章向华 聂秋华
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 中红外发光 硫系玻璃 稀土掺杂,铥离子
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 554-559
• 页数: 6页
• 分类号: TQ171.1~+12
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103702.0554

摘要

用熔融急冷法制备了系列不同Tm~(3+)离子掺杂浓度的Ge-Ga-S-CsI硫卤玻璃,测试了样品折射率、吸收光谱以及800 nm激光抽运下的近红外及中红外波段荧光光谱特性.用Judd-Ofelt理论计算分析了Tm~(3+)离子在Ge-Ga-S-CsI硫卤玻璃中的强度参数Ω_i(i=2,4,6),自发辐射跃迁几率A,荧光分支比β和辐射寿命τ_(rad)等光谱参数.讨论了800 nm激光抽运下的样品近红外及中红外荧光特性与Tm~(3+)离子掺杂浓度之间的关系,并用McCumber(MC)理论和Futchbauer-Ladenburg(FL)公式分别计算了1.8 μm和3.8 μm处的受激发射截面.