界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

• 作者: 季振国 毛启楠 糜裕宏 陈雷锋
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 场发射 绝缘势垒 隧穿几率 双势垒模型 非线性F-N曲线
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 397-400
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 字数: 1831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102202.0397

摘要

以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响.场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和.在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律.理论对实验结果进行了合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	杭州电子科技大学电子信息学院	33	116	5.0	9.0
2	陈雷锋	杭州电子科技大学电子信息学院	3	8	2.0	2.0
3	糜裕宏	杭州电子科技大学电子信息学院	2	12	2.0	2.0
4	毛启楠	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	10	2.0	2.0